г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AOUS66616 Alpha & Omega Semiconductor

Артикул
AOUS66616
Бренд
Alpha & Omega Semiconductor
Описание

MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8, N-Channel 60 V 33A (Ta), 92A (Tc) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount UltraSO-8™

Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AOUS66616.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
60 V
33A (Ta), 92A (Tc)
3.3mOhm @ 20A, 10V
3.4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
2870 pF @ 30 V
6V, 10V
±20V
UltraSO-8™
3-PowerSMD, Flat Leads
AlphaSGT™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
785-1844-2,785-1844-1,785-1844-6
6.2W (Ta), 92.5W (Tc)

AOUS66616 от компании Alpha & Omega Semiconductor обозначает N-канальный MOSFET (металлокислотный полевой транзистор) для поверхностного монтажа. Этот транзистор обладает следующими характеристиками:
1. Напряжение пробоя (Breakdown Voltage): 60 В - Это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать без пробоя изоляции между истоком и стоком.
2. Ток стока (Drain Current): 33 А (при температуре окружающей среды Ta) и 92 А (при температуре чипа Tc) - Это максимальный допустимый ток, который может протекать через сток (дендрит) транзистора.
3. Мощность (Power Dissipation): 6.2 Вт (при температуре окружающей среды Ta) и 92.5 Вт (при температуре чипа Tc) - Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
4. Конфигурация корпуса (Package Type): UltraSO-8™ - Это тип корпуса транзистора, который обеспечивает поверхностный монтаж и обладает 8 выводами.
Транзисторы N-канала широко используются в электронных схемах для управления высокими токами и высокими напряжениями. Они находят применение в различных областях, включая источники питания, коммутацию, преобразование энергии и другие приложения, требующие высокой производительности и эффективности.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IMH23T110
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее
Артикул: IRLI2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP, N-Channel 100 V 31A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: PWM-115
Бренд: Brady
Описание: VNYL PORTA-PK REFILL - LEGEND: 1,
Подробнее
Артикул: FQB1P50TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK, P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: FQPF9P25
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3, P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: S1B-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA, Diode Standard 100 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее