г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT17N80BC3G Microsemi

Артикул
APT17N80BC3G
Бренд
Microsemi
Описание
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/APT17N80BC3G.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
208W (Tc)
N-Channel
-
800 V
17A (Tc)
290mOhm @ 11A, 10V
3.9V @ 1mA
90 nC @ 10 V
2250 pF @ 25 V
10V
150-APT17N80BC3G,APT17N80BC3G-ND
REACH Unaffected
CoolMOS™
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247-3
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FZT692BTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 70V 2A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 70 V 2 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: 2SC4153
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 120V 7A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 7 A 30MHz 30 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: QSL12TR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN 30V 1A TSMT5, Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 30 V 1 A 320MHz 500 mW Surface Mount TSMT5
Подробнее
Артикул: 1N4750A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 27V 1W AXIAL, Zener Diode 27 V 1 W ±0.5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: CM450DX-24S1
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 2775W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 450 A 2775 W Module
Подробнее
Артикул: 2N5114
Бренд: Microchip Technology
Описание: P CHANNEL JFET, JFET P-Channel 30 V 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Подробнее