г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT25GR120BSCD10 Microsemi

Артикул
APT25GR120BSCD10
Бренд
Microsemi
Описание
IGBT 1200V 75A 521W TO247, IGBT NPT 1200 V 75 A 521 W Through Hole TO-247
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT25GR120BSCD10.jpg
521 W
1200 V
75 A
NPT
3.2V @ 15V, 25A
100 A
434µJ (on), 466µJ (off)
Standard
203 nC
16ns/122ns
APT25GR120BSCD10-ND,150-APT25GR120BSCD10
REACH Unaffected
TO-247
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TPH3202PD
Бренд: Transphorm
Описание: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB, N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: GBPC3506W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: IRF4905STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: MMSZ4691T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: IXFN38N100Q2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227, N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: MRF158
Бренд: MACOM
Описание: FET RF 65V 500MHZ 305A-01, RF Mosfet N-Channel 28 V 25 mA 500MHz 18dB 2W 305A-01, Style 2
Подробнее