г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT30GP60BDQ1G Microchip Technology

Артикул
APT30GP60BDQ1G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 100A 463W TO247, IGBT PT 600 V 100 A 463 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
1 586 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT30GP60BDQ1G.jpg
APT30GP60BDQ1GMP-ND,APT30GP60BDQ1GMP
463 W
600 V
100 A
PT
2.7V @ 15V, 30A
120 A
260µJ (on), 250µJ (off)
Standard
90 nC
13ns/55ns
REACH Unaffected
APT30GP60
TO-247 [B]
POWER MOS 7®
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
400V, 30A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: T0054443899
Бренд: Apex
Описание: TIP REPLACEMENT 1.2MM FOR WS,
Подробнее
Артикул: FCF10A20
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE FAST RECOVERY 200V 10A TO-, Diode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220 Full-Mold
Подробнее
Артикул: MMBT2222A,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 600MA SOT23,
Подробнее
Артикул: RGP10G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: FDD86569-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 2N5551BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее