г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT35GP120BG Microchip Technology

Артикул
APT35GP120BG
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 1200V 96A 543W TO247, IGBT PT 1200 V 96 A 543 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
2 866 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT35GP120BG.jpg
APT35GP120BGMI,APT35GP120BGMI-ND
543 W
1200 V
96 A
PT
3.9V @ 15V, 35A
140 A
750µJ (on), 680µJ (off)
Standard
150 nC
16ns/94ns
REACH Unaffected
APT35GP120
TO-247 [B]
POWER MOS 7®
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
600V, 35A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 10-500L
Бренд: Chemtronics
Описание: DESOLDER BRAID ROSIN 0.1" 500', Desolder Braid/Wick Rosin, Non Activated (R) - Blue 0.100" (2.54mm) 500' (152.4m)
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: I-68CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .188,L= .69,W= .020,
Подробнее
Артикул: FQPF7N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: DL4007-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount MELF
Подробнее
Артикул: IRFSL7437PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее