г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT36GA60B Microchip Technology

Артикул
APT36GA60B
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 65A 290W TO-247, IGBT PT 600 V 65 A 290 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
828 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT36GA60B.jpg
REACH Unaffected
290 W
600 V
65 A
PT
2.5V @ 15V, 20A
109 A
307µJ (on), 254µJ (off)
Standard
102 nC
16ns/122ns
APT36GA60
TO-247 [B]
POWER MOS 8™
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
400V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N3442
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: SP-12-SS
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 3/4" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: MMBT3904
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 270MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: GBPC3506W-E4/51
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: IRFIBC30GPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3, N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BAS16D-E3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123, Diode Standard 75 V 250mA Surface Mount SOD-123
Подробнее