г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT36GA60B Microchip Technology

Артикул
APT36GA60B
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 65A 290W TO-247, IGBT PT 600 V 65 A 290 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
828 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT36GA60B.jpg
REACH Unaffected
290 W
600 V
65 A
PT
2.5V @ 15V, 20A
109 A
307µJ (on), 254µJ (off)
Standard
102 nC
16ns/122ns
APT36GA60
TO-247 [B]
POWER MOS 8™
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
400V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SDUR3060W
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: STTH30L06CW
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 20A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: RBM-40
Бренд: Comus International
Описание: SAFETY WARNING LIGHT BATT PWR, Safety Light Hazardous, Safety
Подробнее
Артикул: MRF559
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X, RF Transistor NPN 16V 150mA 870MHz 2W Surface Mount Macro-X
Подробнее
Артикул: VS-20ETF12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC, Diode Standard 1200 V 20A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: CLF1G0060-10U
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 50 mA 3GHz ~ 3.5GHz 14.5dB 10W CDFM2
Подробнее