г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT36GA60BD15 Microchip Technology

Артикул
APT36GA60BD15
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 65A 290W TO-247, IGBT PT 600 V 65 A 290 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
1 185 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT36GA60BD15.jpg
REACH Unaffected
290 W
600 V
65 A
PT
2.5V @ 15V, 20A
109 A
307µJ (on), 254µJ (off)
Standard
18 nC
16ns/122ns
APT36GA60
TO-247 [B]
POWER MOS 8™
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
400V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBFJ310
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-, RF Mosfet N-Channel JFET 10 V 10 mA 450MHz 12dB - SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 15C01SS-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 15V 600MA SSFP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 600 mA 330MHz 200 mW Surface Mount 3-SSFP
Подробнее
Артикул: FZT458TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 400V 0.3A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 300 mA 50MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: DSP25-16A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 1600V 28A TO247AD, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600 V 28A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: DSA90C200HR
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ISO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 45A Through Hole TO-247-3
Подробнее