г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT37M100B2 Microchip Technology

Артикул
APT37M100B2
Бренд
Microchip Technology
Описание
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX, N-Channel 1000 V 37A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Цена
3 989 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/APT37M100B2.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
Through Hole
N-Channel
1000 V
37A (Tc)
10V
330mOhm @ 18A, 10V
5V @ 2.5mA
305 nC @ 10 V
±30V
9835 pF @ 25 V
-
1
APT37M100B2MI,APT37M100B2MI-ND
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3 Variant
T-MAX™ [B2]
APT37M100
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1135W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GF133W9B
Бренд: 3M
Описание: GOLD PRIVACY FILTER LAPTOP 13.3",
Подробнее
Артикул: FS500R17OE4DB81BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER ECONO, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700 V 500 A 20 mW Chassis Mount AG-ECONOPP
Подробнее
Артикул: STGW30NC120HD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 60A 220W TO247, IGBT - 1200 V 60 A 220 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BLF7G10LS-250
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 250W SOT502B, RF Mosfet LDMOS 30 V 1.8 A 869MHz ~ 960MHz 19.5dB 250W SOT502B
Подробнее
Артикул: IRG4PH20K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1533-B-6-B-14
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERBRIGHT TIN OVE, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее