г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology

Артикул
APT40GP90B2DQ2G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 900V 101A 543W TMAX, IGBT PT 900 V 101 A 543 W Through Hole
Цена
3 250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT40GP90B2DQ2G.jpg
APT40GP90B2DQ2GMI,APT40GP90B2DQ2GMI-ND
543 W
900 V
101 A
PT
3.9V @ 15V, 40A
160 A
795µJ (off)
Standard
145 nC
14ns/90ns
REACH Unaffected
APT40GP90
POWER MOS 7®
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3 Variant
600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOT416
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220, N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 42A (Tc) 1.92W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N4123
Бренд: Harris
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: SO-0865-01-01-02
Бренд: Samtec
Описание: PRECISION BOARD STACKING STANDOF, Round Standoff Threaded #4-40 Stainless Steel -
Подробнее
Артикул: 2N3053
Бренд: Harris
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 700 mA - 5 W Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: RFD16N05LSM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA, N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: IPD60R950C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3, N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее