г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT50GN60BG Microchip Technology

Артикул
APT50GN60BG
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 107A 366W TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 107 A 366 W Through Hole TO-247 [B]
Цена
845 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT50GN60BG.jpg
APT50GN60BGMI,APT50GN60BGMI-ND
366 W
600 V
107 A
Trench Field Stop
1.85V @ 15V, 50A
150 A
1185µJ (on), 1565µJ (off)
Standard
325 nC
20ns/230ns
REACH Unaffected
APT50GN60
TO-247 [B]
-
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBD4448HT-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT523, Diode Standard 80 V 250mA Surface Mount SOT-523
Подробнее
Артикул: ZXMP6A17E6QTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26, P-Channel 60 V 2.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Подробнее
Артикул: BZT52C11-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123, Zener Diode 11 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: SBRT4U60LP-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8, Diode Super Barrier 60 V 4A Surface Mount U-DFN3030-8
Подробнее
Артикул: APT95GR65B2
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 650V 208A 892W T-MAX, IGBT NPT 650 V 208 A 892 W Through Hole T-MAX™ [B2]
Подробнее
Артикул: BC546B,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее