г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology

Артикул
APT50GP60B2DQ2G
Бренд
Microchip Technology
Описание
IGBT 600V 150A 625W TMAX, IGBT PT 600 V 150 A 625 W Through Hole
Цена
2 631 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/APT50GP60B2DQ2G.jpg
APT50GP60B2DQ2GMI,APT50GP60B2DQ2GMI-ND
625 W
600 V
150 A
PT
2.7V @ 15V, 50A
190 A
465µJ (on), 635µJ (off)
Standard
165 nC
19ns/85ns
REACH Unaffected
APT50GP60
POWER MOS 7®
Tube
Active
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3 Variant
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJL3281A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 260V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: R5000F
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 5000V 200MA DO15, Diode Standard 5000 V 200mA Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: IKW20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: SI3932DV-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: 514-6-A
Бренд: J.W. Winco
Описание: LOCKING INDEXING PLUNGER, STEEL, Plunger, Indexing - -
Подробнее
Артикул: BZV55-C2V7,135
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 2.7V 500MW LLDS, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±5% Surface Mount LLDS; MiniMelf
Подробнее