г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1010ZS Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1010ZS
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
346 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AUIRF1010ZS.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
140W (Tc)
N-Channel
55 V
75A (Tc)
7.5mOhm @ 75A, 10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
2840 pF @ 25 V
-
10V
SP001519530
Surface Mount
1,000
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RURU15060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO218, Diode Standard 600 V 150A Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: NGTB30N135IHR1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1350V 30A TO247, IGBT Trench Field Stop 1350 V 60 A 394 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 2N3904TFR
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 200MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IXGH10N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 18A 100W TO247AD, IGBT - 3000 V 18 A 100 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: FDB6670AL
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB, N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: VS-30EPF06-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее