г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF3808S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF3808S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK, N-Channel 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AUIRF3808S.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
200W (Tc)
N-Channel
75 V
106A (Tc)
7mOhm @ 82A, 10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
5310 pF @ 25 V
-
10V
SP001519466
Surface Mount
1,000
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FGA30S120P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 348 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1260-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: IRF3315PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: FDB6030L
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB, N-Channel 30 V 48A (Ta) 52W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 34 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее