г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS6535 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS6535
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AUIRFS6535.jpg
SP001516136
MOSFET (Metal Oxide)
210W (Tc)
N-Channel
300 V
19A (Tc)
185mOhm @ 11A, 10V
5V @ 150µA
57 nC @ 10 V
2340 pF @ 25 V
-
10V
AUIRFS6535
Surface Mount
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PG-TO263-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BN1014
Бренд: Bantam Tools
Описание: PROTOTYPING DELUXE BUNDLE,
Подробнее
Артикул: STB10NK60ZT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK, N-Channel 600 V 10A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 2N5038
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 µA - 140 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5052
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: R910-5
Бренд: Essentra Components
Описание: ROUND SPACER NYLON 5/16", Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.95mm) 5/16" White
Подробнее