г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS8408-7P Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS8408-7P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
474 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/AUIRFS8408-7P.jpg
SP001518804,IRAUIRFS8408-7P
MOSFET (Metal Oxide)
294W (Tc)
N-Channel
40 V
240A (Tc)
1mOhm @ 100A, 10V
3.9V @ 250µA
315 nC @ 10 V
10250 pF @ 25 V
-
10V
IRFS8408
Surface Mount
HEXFET®
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MM5Z3V3
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: ZENER SOD-523 3.3V 0.3W 5%, Zener Diode 3.3 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: MURF2060CT
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE SFR ITO-220AB 600V 20A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IXGR40N60C2
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 56A 170W ISOPLUS247, IGBT PT 600 V 56 A 170 W Through Hole ISOPLUS247™
Подробнее
Артикул: BDX53BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A - 65 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N4148W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123, Diode Standard 100 V 150mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: APT25GP90BDQ1G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 72A 417W TO247, IGBT PT 900 V 72 A 417 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее