г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRG4BC30U-S Infineon Technologies

Артикул
AUIRG4BC30U-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/AUIRG4BC30U-S.jpg
480V, 12A, 23Ohm, 15V
100 W
Standard
600 V
23 A
-
92 A
2.1V @ 15V, 12A
360µJ
50 nC
SP001512140
Surface Mount
1,000
-
Tube
Obsolete
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
17ns/78ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRL3705NL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A TO262, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IXFH60N50P3
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD, N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: STP100N6F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO220, N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NE4210S01-T1B
Бренд: CEL
Описание: HJ-FET 13DB S01, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Подробнее
Артикул: 1992-1032-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND STANDOFFPLAIN STEEL5/8 RD, Round Standoff Threaded #10-32 Steel 5.000" (127.00mm) 5" -
Подробнее