г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6302VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
files/BAR6302VH6327XTSA1.jpg
3,000
BAR63
BAR6302VH6327XTSA1CT,BAR6302VH6327,BAR 63-02V H6327DKR-ND,BAR 63-02V H6327CT,BAR 63-02V H6327DKR,BAR6302VH6327XTSA1TR,BAR 63-02V H6327TR-ND,BAR 63-02V H6327CT-ND,INFINFBAR6302VH6327XTSA1,BAR6302VH6327XTSA1DKR,SP000742888,2156-BAR6302VH6327XTSA1,BAR 63-02V
100 mA
PIN - Single
250 mW
0.3pF @ 5V, 1MHz
50V
8541.10.0070
EAR99
REACH Unaffected
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
150°C (TJ)
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
1Ohm @ 10mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-26MB120A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 25A D-34, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV QC Terminal D-34
Подробнее
Артикул: I-7510A
Бренд: ICP DAS
Описание: RS-422 / RS-485 ISOLATED HIGH SP,
Подробнее
Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: PN3645
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI-GEN PUR AMP + SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 800 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N6032
Бренд: Harris
Описание: HIGH POWER NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 50 A 140 W Through Hole TO-204AE
Подробнее
Артикул: IXFK27N80
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA, N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее