г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6302VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6302VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
files/BAR6302VH6327XTSA1.jpg
3,000
BAR63
BAR6302VH6327XTSA1CT,BAR6302VH6327,BAR 63-02V H6327DKR-ND,BAR 63-02V H6327CT,BAR 63-02V H6327DKR,BAR6302VH6327XTSA1TR,BAR 63-02V H6327TR-ND,BAR 63-02V H6327CT-ND,INFINFBAR6302VH6327XTSA1,BAR6302VH6327XTSA1DKR,SP000742888,2156-BAR6302VH6327XTSA1,BAR 63-02V
100 mA
PIN - Single
250 mW
0.3pF @ 5V, 1MHz
50V
8541.10.0070
EAR99
REACH Unaffected
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
150°C (TJ)
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
1Ohm @ 10mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1517-D-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRFD213
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP, N-Channel 250 V 450mA (Ta) - Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: FDB045AN08A0
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 75 V 19A (Ta), 90A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1525-A-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: PS21767
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 30A MINI DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm)
Подробнее