BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул

BAT68E6327HTSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23

Цена

95 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ

files/BAT68E6327HTSA1.jpg

3,000

BAT68

BAT 68 E6327TR-ND,BAT 68 E6327DKR,BAT68E6327HTSA1TR,BAT 68 E6327CT,BAT68E6327XT,INFINFBAT68E6327HTSA1,2156-BAT68E6327HTSA1,BAT68E6327HTSA1CT,BAT 68 E6327,BAT 68 E6327DKR-ND,BAT 68 E6327-ND,BAT 68 E6327CT-ND,BAT68E6327HTSA1DKR,SP000012514

130 mA

Schottky - Single

150 mW

1pF @ 0V, 1MHz

8541.10.0070

EAR99

REACH Unaffected

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

Active

150°C (TJ)

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PG-SOT23

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

10Ohm @ 5mA, 10kHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2222A

Бренд: onsemi

Описание: NPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE), Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18

Подробнее

Артикул: CMDD3003 TR PBFREE

Бренд: Central Semiconductor

Описание: DIODE GEN PURP 180V 200MA SOD323, Diode Standard 180 V 200mA Surface Mount SOD-323

Подробнее

Артикул: AUIRGS4062D1

Бренд: International Rectifier

Описание: IGBT, 59A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Surface Mount D?PAK

Подробнее

Артикул: IRFI530N

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Подробнее

Артикул: 30472-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: NYLON STAND OFF,

Подробнее

Артикул: FGD3040G2

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: IGBT 400V 41A 150W DPAK, IGBT - 400 V 41 A 150 W Surface Mount TO-252AA

Подробнее

BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята