г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAV102,115 Nexperia

Артикул
BAV102,115
Бренд
Nexperia
Описание
DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS, Diode Standard 150 V 250mA (DC) Surface Mount LLDS; MiniMelf
Цена
55 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/BAV102115.jpg
LLDS; MiniMelf
REACH Unaffected
100 nA @ 150 V
1.25 V @ 200 mA
Standard
150 V
Fast Recovery = 200mA (Io)
50 ns
175°C (Max)
250mA (DC)
568-6028-1-ND,568-6028-6,568-6028-2-ND,568-6028-2,NEXNEXBAV102,115,568-6028-1,2156-BAV102,115-NEX,BAV102 T/R,568-6028-6-ND,BAV102,115-ND,933699350115,1727-4829-6,1727-4829-1,1727-4829-2,BAV102 T/R-ND
1 (Unlimited)
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
EAR99
8541.10.0070
2,500
BAV102
ROHS3 Compliant
5pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6385
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN DARLINGTON POWER SILICON TRA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A - 6 W Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: NDP6030PL
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3, P-Channel 30 V 30A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1453-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 2, Hex Spacer Unthreaded - Steel 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее
Артикул: CSD75207W15
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source - 3.9A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
Подробнее
Артикул: IRL3705NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB, N-Channel 55 V 89A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: PMEG6010CEJ115
Бренд: Nexperia
Описание: NOW NEXPERIA PMEG6010CEJ - RECTI, Diode
Подробнее