г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC549C,112 NXP Semiconductors

Артикул
BC549C,112
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
TRANS NPN 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BC549C112.jpg
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
TO-92-3
REACH Unaffected
30 V
100 mA
500 mW
15nA (ICBO)
NPN
600mV @ 5mA, 100mA
420 @ 2mA, 5V
ROHS3 Compliant
BC54
-
Bulk
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.21.0075
933197700112,BC549CP,BC549CP-ND
1,000
Through Hole
150°C (TJ)
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBFJ108
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3, JFET N-Channel 25 V 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IXXH50N60C3D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 100A 600W TO247AD, IGBT PT 600 V 100 A 600 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Подробнее
Артикул: SB1H100-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL, Diode Schottky 100 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: XL2-10
Бренд: Techspray
Описание: XL2-10,
Подробнее
Артикул: 2N3868
Бренд: Solid State
Описание: PNP SILICON CORE DRIVER 60V T0-, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V - Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: VS-40MT120UHAPBF
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP, IGBT Module NPT Half Bridge 1200 V 80 A 463 W Chassis Mount MTP
Подробнее