г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC63916 onsemi

Артикул
BC63916
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 80V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BC63916.jpg
TO-92-3
NPN
1 A
80 V
500mV @ 50mA, 500mA
100nA (ICBO)
100 @ 150mA, 2V
1 W
100MHz
1 (Unlimited)
BC639
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
EAR99
8541.29.0075
2,000
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFHM8326TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount
Подробнее
Артикул: 1N4002-E3/53
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: DSI45-12A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD, Diode Standard 1200 V 45A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 863MHZ NI-860C3, RF Mosfet LDMOS 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Подробнее
Артикул: IPW60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: 0100-S-2
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELCADMIUM QQ-P-416F-C, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее