г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC858B Infineon Technologies

Артикул
BC858B
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BC858B.jpg
1 (Unlimited)
SOT-23-3 (TO-236)
250 mW
PNP
100 mA
30 V
650mV @ 5mA, 100mA
15nA (ICBO)
220 @ 2mA, 5V
REACH Unaffected
10,000
INFINFBC858B,2156-BC858B
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Not applicable
EAR99
8541.21.0075
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF100S201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK, N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: I-7045D-NPN
Бренд: ICP DAS
Описание: RS-485 REMOTE I/O DAQ MODULE: 16, Output Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: N61-03
Бренд: American Hakko Products
Описание: NOZZLE,1.0MM,THIN PAD,FR-4101/41,
Подробнее
Артикул: RHRG5060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2, Diode Standard 600 V 50A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: 1N4006-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: STP24NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 17A TO220, N-Channel 600 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее