г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC858B Infineon Technologies

Артикул
BC858B
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BC858B.jpg
1 (Unlimited)
SOT-23-3 (TO-236)
250 mW
PNP
100 mA
30 V
650mV @ 5mA, 100mA
15nA (ICBO)
220 @ 2mA, 5V
REACH Unaffected
10,000
INFINFBC858B,2156-BC858B
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Not applicable
EAR99
8541.21.0075
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1100-0-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/8 RD X 1/8 X .064 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.094" (2.38mm) -
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC30 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: BC33725
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1498-50-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: 1N829A
Бренд: Solid State
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: TIP120
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 5A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее