г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCP69E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCP69E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
9 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BCP69E6327.jpg
Vendor Undefined
1,000
2156-BCP69E6327,INFINFBCP69E6327
8541.29.0075
EAR99
RoHS non-compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRL8113PBF
Бренд: onsemi
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FGHL50T65SQ
Бренд: onsemi
Описание: FS4TIGBT TO247 50A 650V, IGBT - 650 V 100 A 268 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: I-7561U
Бренд: ICP DAS
Описание: USB TO RS 232, RS 422 AND RS 485,
Подробнее
Артикул: 1N3643
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL, Diode Standard 1000 V 250mA Through Hole S, Axial
Подробнее
Артикул: FCA76N60N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN, N-Channel 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: IRF7905TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее