г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR133WH6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/BCR133WH6327.jpg
Vendor Undefined
1
IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327
8541.21.0075
EAR99
Not applicable
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC550B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1267-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1361-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: TIL3023
Бренд: Texas Instruments
Описание: TRIAC OUTPUT OPTOCOUPLER, TRIAC
Подробнее
Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: HSMS-270P-TR1G
Бренд: Broadcom Limited
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT363, RF Diode Schottky - 1 Bridge 15V 750 mA 825 mW SOT-363
Подробнее