г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/BCR133WH6327XTSA1.jpg
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,BCR 133W H6327,2156-BCR133WH6327XTSA1-ITTR,IFEINFBCR133WH6327XTSA1,BCR133WH6327XTSA1TR,BCR 133W H6327-ND,SP000756246
250 mW
50 V
100 mA
NPN - Pre-Biased
300mV @ 500µA, 10mA
100nA (ICBO)
30 @ 5mA, 5V
130 MHz
10 kOhms
BCR133
Surface Mount
3,000
-
Tape & Reel (TR)
Not For New Designs
SC-70, SOT-323
SOT-323
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.21.0075
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5953BRLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 150V 3W AXIAL, Zener Diode 150 V 3 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRGP4068D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: MRF429
Бренд: MACOM
Описание: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11, RF Transistor NPN 50V 16A - 150W Chassis Mount 211-11, Style 2
Подробнее
Артикул: MBR6045WT
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO247AD, Diode Schottky 45 V 30A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: SM4001PL-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FL, Diode Standard 50 V 1A Surface Mount SOD-123FL
Подробнее
Артикул: JANTX2N5664
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANS NPN 200V 5A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 5 A - 2.5 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее