г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR142E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR142E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/BCR142E6327.jpg
REACH Unaffected
3,000
IFEINFBCR142E6327,2156-BCR142E6327
8541.21.0075
EAR99
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N5875
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: GBJ2502
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: onsemi
Описание: IC TRANS PNP SS LN 100MA SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: ABS15J
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE SO-DIL 600V 2A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Surface Mount ABS
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее