BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR583E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

7 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

files/BCR583E6327.jpg

REACH Unaffected

INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327

8541.21.0075

EAR99

ROHS3 Compliant

Active

Bulk

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HUF75545S3ST_NL

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount TO-263AB

Подробнее

Артикул: CMBT2222A-T

Бренд: Rectron

Описание: TRANS NPN 40V 600MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

Подробнее

Артикул: STPS30170CG-TR

Бренд: STMicroelectronics

Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 170 V 15A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Подробнее

Артикул: STD12NF06LT4

Бренд: STMicroelectronics

Описание: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK, N-Channel 60 V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Surface Mount DPAK

Подробнее

Артикул: TIP107

Бренд: STMicroelectronics

Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220

Подробнее

Артикул: TN3050H-12WY

Бренд: STMicroelectronics

Описание: SCR 1.2KV 30A TO247, SCR 1.2 kV 30 A Sensitive Gate Through Hole TO-247-3

Подробнее

BCR583E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята