г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR583E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/BCR583E6327.jpg
REACH Unaffected
1
INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327
8541.21.0075
EAR99
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SJ5012
Бренд: 3M
Описание: BUMPER PROTECTIVE PRODUCTS SJ501, Foot Cylindrical, Flat Top 0.500" Dia (12.70mm) Polyurethane Black
Подробнее
Артикул: 1N4750ATR
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 27V 1W DO41, Zener Diode 27 V 1 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2N5876
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFU4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: MRF8P9300HSR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 2.4 A 960MHz 19.4dB 100W NI-1230S
Подробнее
Артикул: 1546-A-2-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/16, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее