г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR583E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCR583E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/BCR583E6327.jpg
REACH Unaffected
1
INFINFBCR583E6327,2156-BCR583E6327
8541.21.0075
EAR99
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N3343
Бренд: Solid State
Описание: DO5 50 WATT ZENER DIODES, Zener Diode 120 V 50 W ±20% Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: 0430-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/8 HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1249-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: SISB46DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Подробнее
Артикул: IDW30G65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IXFX73N30Q
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247-3, N-Channel 300 V 73A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее