г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCW 61C E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCW 61C E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BCW-61C-E6327.jpg
1 (Unlimited)
PG-SOT23
330 mW
PNP
100 mA
32 V
550mV @ 1.25mA, 50mA
20nA (ICBO)
250 @ 2mA, 5V
REACH Unaffected
3,000
2156-BCW 61C E6327,IFEINFBCW 61C E6327
-
Bulk
Active
150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Not applicable
EAR99
8541.21.0075
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFD9120
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP, P-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: SB10-05P-TD-E
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 50V 1A PCP, Diode Schottky 50 V 1A Surface Mount SOT-89/PCP-1
Подробнее
Артикул: VS-15TQ060STRL-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK, Diode Schottky 60 V 15A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: FP10R12W1T4PBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 20A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FQA24N50F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P, N-Channel 500 V 24A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: MJE802
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole SOT-32
Подробнее