г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD676A onsemi

Артикул
BD676A
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BD676A.jpg
ONSONSBD676A,2156-BD676A-ON
TO-126
PNP - Darlington
4 A
45 V
2.8V @ 40mA, 2A
500µA
750 @ 2A, 3V
40 W
-
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0095
500
BD676
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DTC114EUAT106
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Подробнее
Артикул: JT-103
Бренд: ECG
Описание: REPLL TIP FOR J-045-DS,
Подробнее
Артикул: MS2901
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: FQP2N90
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3, N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IXFB40N110P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264, N-Channel 1100 V 40A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Подробнее
Артикул: DTC114EKAT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее