г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD681G onsemi

Артикул
BD681G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BD681G.jpg
2156-BD681G-OS,BD681GOS,ONSONSBD681G
TO-126
NPN - Darlington
4 A
100 V
2.5V @ 30mA, 1.5A
500µA
750 @ 1.5A, 3V
40 W
-
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0095
500
BD681
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MTS-16
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX STANDOFF M3 NYLON 16MM, Hex Standoff Threaded M3 Nylon 0.630" (16.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: 1SMA5931BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 18V 1.5W SMA, Zener Diode 18 V 1.5 W ±5% Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: A0270164
Бренд: Belden
Описание: BIX MOUNT 250-PAIR,
Подробнее
Артикул: 0105-S-26
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELBLACK OXIDE, STAINL, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: AUIRG4PH50S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AC, IGBT - 1200 V 141 A 543 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFU420
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA, N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее