г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BD682G onsemi

Артикул
BD682G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Цена
73 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BD682G.jpg
2156-BD682G-OS,BD682GOS,ONSONSBD682G
TO-126
PNP - Darlington
4 A
100 V
2.5V @ 30mA, 1.5A
500µA
750 @ 1.5A, 3V
40 W
-
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-225AA, TO-126-3
EAR99
8541.29.0095
500
BD682
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 582-T-4
Бренд: American Hakko Products
Описание:

TIP,MG,4MM DIA,583,

Подробнее
Артикул: FESF16JT-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC, Diode Standard 600 V 16A Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: IRLU024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: MUR1520
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC, Diode Standard 200 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IXFA22N65X2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 650V 22A TO263, N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Подробнее
Артикул: IRF2907ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее