г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP950H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BDP950H6327XTSA1.jpg
Surface Mount
BDP950
BDP 950 H6327,BDP 950 H6327-ND,SP000748522
5 W
60 V
3 A
PNP
500mV @ 200mA, 2A
100nA (ICBO)
85 @ 500mA, 1V
1,000
8541.29.0075
-
Tape & Reel (TR)
Not For New Designs
150°C (TJ)
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223-4-10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Affected
EAR99
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N7000BU
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRF1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: B32000
Бренд: American Standard
Описание: MADERA 16-1/2" H ADA ELONGATED T,
Подробнее
Артикул: 1N976A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 43V 500MW DO7, Zener Diode 43 V 500 mW ±10% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: STGW40N120KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 80A 240W TO247, IGBT - 1200 V 80 A 240 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FQN1N60CTA
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее