г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDW83C Central Semiconductor

Артикул
BDW83C
Бренд
Central Semiconductor
Описание
POWER TRANSISTOR NPN TO218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A - 130 W Through Hole TO-218
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
-
1
TO-218
130 W
NPN
100 V
-
750 @ 6A, 3V
15 A
-
BDW83CCS
8541.29.0095
Bulk
Obsolete
-
Through Hole
TO-218-3
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP8896
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3, N-Channel 30 V 16A (Ta), 92A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: GBU10B
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: STPS3150UF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V 3A SMBFLAT, Diode Schottky 150 V 3A Surface Mount SMBflat
Подробнее
Артикул: IPA60R800CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP, N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: CM200DY-12NF
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 600V 200A 650W, IGBT Module - Half Bridge 600 V 200 A 650 W Chassis Mount Module
Подробнее