г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDX33C onsemi

Артикул
BDX33C
Бренд
onsemi
Описание
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Цена
93 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BDX33C_23.jpg
TO-220AB
70 W
100 V
10 A
NPN - Darlington
2.5V @ 6mA, 3A
500µA
750 @ 3A, 3V
TO-220-3
Through Hole
-
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Affected
2156-BDX33C-488
1
150°C (TJ)
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1428-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1131-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/4 RD X 11/16 X .115 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.46mm) -
Подробнее
Артикул: SIZF906DT-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Подробнее
Артикул: TIP126
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS PNP DARL 80V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: DZ23C3V9-E3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOT23, Zener Diode Array 1 Pair Common Cathode 3.9 V 300 mW ±5% SOT-23-3
Подробнее