г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDX53C onsemi

Артикул
BDX53C
Бренд
onsemi
Описание
BDX53 - NPN DARL 100V 3A, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 60 W Through Hole TO-220
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BDX53C.jpg
TO-220-3
TO-220
60 W
100 V
8 A
NPN - Darlington
2V @ 12mA, 3A
500µA
750 @ 3A, 3V
Through Hole
150°C (TJ)
-
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Affected
EAR99
0000.00.0000
2156-BDX53C-488
1
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STB140NF55T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1N4448WS
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE SOD-323 100V 0.15A 4NS, Diode Standard 75 V 150mA Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IPP60R450E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3, N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: A-37CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .296,L= 1.69,W= .063,
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1245-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/2 RD X 2.00 X .252 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) -
Подробнее