г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156-BFN27E6327HTSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1429-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: BAT20JFILM
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOD323, Diode Schottky 23 V 1A Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: 1501-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: STWA88N65M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 84A TO247, N-Channel 650 V 84A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: DSEP2X61-06A
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 600V 60A SOT227B, Diode Array 2 Independent Standard 600 V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: UJ3N120070K3S
Бренд: UnitedSiC
Описание: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, JFET N-Channel 1200 V 33.5 A 254 W Through Hole TO-247-3
Подробнее