BFR183E6327 Infineon Technologies

Артикул

BFR183E6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor

Цена

12 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные

files/BFR183E6327.jpg

Bulk

Active

EAR99

8541.21.0075

INFINFBFR183E6327,2156-BFR183E6327

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSP52T3G

Бренд: onsemi

Описание: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 1 A - 800 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Подробнее

Артикул: IRLU3705Z

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I-PAK

Подробнее

Артикул: IHW30N135R3

Бренд: Infineon Technologies

Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT

Подробнее

Артикул: 1236-10-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -

Подробнее

Артикул: MUN5333DW1T1G

Бренд: onsemi

Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Подробнее

Артикул: ISL9V3040S3ST

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 430 V 21 A 150 W Surface Mount D2PAK (TO-263)

Подробнее

BFR183E6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята