г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLF3G21-30 Ampleon

Артикул
BLF3G21-30
Бренд
Ampleon
Описание

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, Bipolar (BJT) Transistor

Цена
14 868 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BLF3G21-30.jpg
1
2156-BLF3G21-30,AMPREIBLF3G21-30
EAR99
1 (Unlimited)
Not applicable
Active
Bulk
*
Vendor Undefined

Транзистор BLF3G21-30, произведенный компанией Ampleon является мощным полевым транзистором, используемым в радиочастотных усилителях и мощностных устройствах. Особенно часто он применяется в областях, связанных с радиосвязью, беспроводными коммуникациями и радиочастотной электроникой. Его основное предназначение – усиление сигналов на высоких частотах, таких как в мобильных телефонах, радиостанциях, беспроводных маршрутизаторах и подобных устройствах.
Важные характеристики этого транзистора включают:
1. Полярность: Отрицательная.
2. Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт.
3. Максимальное рабочее напряжение: 26 В.
4. Максимально допустимый постоянный ток: 4.5 А.
5. Сопротивление: 0.3 Ом.
6. Тип корпуса: SOT467C.
Транзисторы имеют ключевое значение в электронике, так как они позволяют усиливать сигналы, выполнять логические операции, коммутировать сигналы и управлять потоком электроэнергии в различных приложениях. Они находят применение в компьютерах, мобильных устройствах, радио- и телевизионных устройствах, а также в системах управления промышленными и автомобильными системами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0796-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL3/4HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: FQPF10N60C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F, N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 03-10-12Z
Бренд: Igus
Описание: BRACKET FOR 03/E03 WITH .54W,
Подробнее
Артикул: 2N3053
Бренд: Solid State
Описание: BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 700 mA 100MHz 5 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: SI7155DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK, P-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: UJ3D1250K2
Бренд: UnitedSiC
Описание: 1200V 50A SIC SCHOTTKY DIODE G3,, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 50A (DC) Through Hole TO-247-2
Подробнее