г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLF3G21-30 Ampleon

Артикул
BLF3G21-30
Бренд
Ampleon
Описание

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, Bipolar (BJT) Transistor

Цена
14 868 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BLF3G21-30.jpg
1
2156-BLF3G21-30,AMPREIBLF3G21-30
EAR99
1 (Unlimited)
Not applicable
Active
Bulk
*
Vendor Undefined

Транзистор BLF3G21-30, произведенный компанией Ampleon является мощным полевым транзистором, используемым в радиочастотных усилителях и мощностных устройствах. Особенно часто он применяется в областях, связанных с радиосвязью, беспроводными коммуникациями и радиочастотной электроникой. Его основное предназначение – усиление сигналов на высоких частотах, таких как в мобильных телефонах, радиостанциях, беспроводных маршрутизаторах и подобных устройствах.
Важные характеристики этого транзистора включают:
1. Полярность: Отрицательная.
2. Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт.
3. Максимальное рабочее напряжение: 26 В.
4. Максимально допустимый постоянный ток: 4.5 А.
5. Сопротивление: 0.3 Ом.
6. Тип корпуса: SOT467C.
Транзисторы имеют ключевое значение в электронике, так как они позволяют усиливать сигналы, выполнять логические операции, коммутировать сигналы и управлять потоком электроэнергии в различных приложениях. Они находят применение в компьютерах, мобильных устройствах, радио- и телевизионных устройствах, а также в системах управления промышленными и автомобильными системами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1147-8-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: MBRF20200CTR
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: ET-7052
Бренд: ICP DAS
Описание: 8 POINTS OF ISOLATED SOURCE OPEN, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: MUN5311DW1T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF4104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее