г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLF3G21-30 Ampleon

Артикул
BLF3G21-30
Бренд
Ampleon
Описание

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, Bipolar (BJT) Transistor

Цена
14 868 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BLF3G21-30.jpg
1
2156-BLF3G21-30,AMPREIBLF3G21-30
EAR99
1 (Unlimited)
Not applicable
Active
Bulk
*
Vendor Undefined

Транзистор BLF3G21-30, произведенный компанией Ampleon является мощным полевым транзистором, используемым в радиочастотных усилителях и мощностных устройствах. Особенно часто он применяется в областях, связанных с радиосвязью, беспроводными коммуникациями и радиочастотной электроникой. Его основное предназначение – усиление сигналов на высоких частотах, таких как в мобильных телефонах, радиостанциях, беспроводных маршрутизаторах и подобных устройствах.
Важные характеристики этого транзистора включают:
1. Полярность: Отрицательная.
2. Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт.
3. Максимальное рабочее напряжение: 26 В.
4. Максимально допустимый постоянный ток: 4.5 А.
5. Сопротивление: 0.3 Ом.
6. Тип корпуса: SOT467C.
Транзисторы имеют ключевое значение в электронике, так как они позволяют усиливать сигналы, выполнять логические операции, коммутировать сигналы и управлять потоком электроэнергии в различных приложениях. Они находят применение в компьютерах, мобильных устройствах, радио- и телевизионных устройствах, а также в системах управления промышленными и автомобильными системами.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N5400
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 0.6A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MURD620CT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 6A DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: IRG4PH30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: NE85633-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW - -
Подробнее
Артикул: TO-11-100H
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.100", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.100" (2.54mm) Natural
Подробнее
Артикул: APT40DC60HJ
Бренд: Microsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 40A SOT227, Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 600 V Chassis Mount SOT-227
Подробнее