BLP10H610AZ Ampleon
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 60 mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (6x5)
Компонент BLP10H610AZ относится к разряду дискретных полупроводников и представляет собой MOSFET, применяемый в устройствах для работы с радиочастотами. MOSFET (транзистор с полевым эффектом металл-диоксид-полупроводник) – это разновидность полевого транзистора, используемого в электронных устройствах для усиления или переключения сигналов. MOSFET представляет собой полупроводниковое устройство с четырьмя слоями, управляемое электрическим полем.
Основные параметры:
1. Частота: 860 МГц
2. Усиление: 22 дБ
3. Напряжение испытания: 50 В
4. Ток: 60 мА
5. Мощность: 10 Вт
6. Напряжение: 104 В
7. Тип монтажа: на поверхности
Принцип работы MOSFET основан на изменении заряда в канале полупроводника под воздействием электрического поля, создаваемого на затворе. Это обеспечивает управление током между истоком и стоком MOSFET, что делает его идеальным для усиления и переключения сигналов в электронных устройствах. MOSFET широко применяется в современной электронике, включая усилители мощности, интегральные схемы и микроконтроллеры, благодаря своей эффективности, надежности и высокой интегрируемости.
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут