г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLP9G0722-20GZ Ampleon

Артикул
BLP9G0722-20GZ
Бренд
Ampleon
Описание

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1, RF Mosfet LDMOS 28 V 180 mA 400MHz ~ 2.7GHz 19dB 43dBm SOT1483-1

Цена
3 085 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/BLP9G0722-20GZ.jpg
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP9
400MHz ~ 2.7GHz
43dBm
65 V
LDMOS
19dB
-
180 mA
500
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
1.4µA
ROHS3 Compliant
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0075
BLP9G0722-20GZ-ND,1603-1103-6,934960092515,1603-1103-2,1603-1103-1
28 V

BLP9G0722-20GZ является мощным транзистором с эффектом поля (MOSFET), предназначенным для применения в высокочастотных радиочастотных (RF) приложениях.
Мощный транзистор с эффектом поля, сокращенно MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), это тип полупроводникового устройства, используемого для управления и усиления электрического сигнала. MOSFET является одним из наиболее распространенных типов транзисторов и широко применяется в электронике, включая области силовой электроники, усилителей, микропроцессоров и других цифровых и аналоговых устройств.
Вот основные характеристики этого товара:
1. Частота: от 400 МГц до 2.7 ГГц
2. Усиление: 19 дБ
3. Напряжение – испытание: 28 В
4. Ток - испытание: 180 мА
5. Мощность – выход: 43 дБм
6. Напряжение – номинальное: 65 В
7. Тип монтажа: поверхностный монтаж
8. Корпус: SOT-1483-1
Преимущества мощных MOSFET включают высокую скорость переключения, низкое потребление энергии в режиме ожидания, малые габариты, высокую эффективность и относительно низкую стоимость производства. Однако, для оптимальной работы требуется обеспечение правильного охлаждения из-за выделения тепла во время работы.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MUR260
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Diode Standard 600 V 2A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1N957B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO7, Zener Diode 6.8 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-23 45V 800MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: 1N4685
Бренд: Microchip Technology
Описание: ZENER DIODE, Zener Diode 3.6 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: IXFX55N50
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3, N-Channel 500 V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: MMSZ5225BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3V 500MW SOD123, Zener Diode 3 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее