г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLP9G0722-20GZ Ampleon

Артикул
BLP9G0722-20GZ
Бренд
Ampleon
Описание

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1, RF Mosfet LDMOS 28 V 180 mA 400MHz ~ 2.7GHz 19dB 43dBm SOT1483-1

Цена
3 085 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/BLP9G0722-20GZ.jpg
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP9
400MHz ~ 2.7GHz
43dBm
65 V
LDMOS
19dB
-
180 mA
500
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
1.4µA
ROHS3 Compliant
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0075
BLP9G0722-20GZ-ND,1603-1103-6,934960092515,1603-1103-2,1603-1103-1
28 V

BLP9G0722-20GZ является мощным транзистором с эффектом поля (MOSFET), предназначенным для применения в высокочастотных радиочастотных (RF) приложениях.
Мощный транзистор с эффектом поля, сокращенно MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), это тип полупроводникового устройства, используемого для управления и усиления электрического сигнала. MOSFET является одним из наиболее распространенных типов транзисторов и широко применяется в электронике, включая области силовой электроники, усилителей, микропроцессоров и других цифровых и аналоговых устройств.
Вот основные характеристики этого товара:
1. Частота: от 400 МГц до 2.7 ГГц
2. Усиление: 19 дБ
3. Напряжение – испытание: 28 В
4. Ток - испытание: 180 мА
5. Мощность – выход: 43 дБм
6. Напряжение – номинальное: 65 В
7. Тип монтажа: поверхностный монтаж
8. Корпус: SOT-1483-1
Преимущества мощных MOSFET включают высокую скорость переключения, низкое потребление энергии в режиме ожидания, малые габариты, высокую эффективность и относительно низкую стоимость производства. Однако, для оптимальной работы требуется обеспечение правильного охлаждения из-за выделения тепла во время работы.

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FJV992FMTF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 50MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 50 mA 50MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: VBE55-12NO7
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 59A ECOPAC1, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV Chassis Mount ECO-PAC1
Подробнее
Артикул: BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FQPF8N90C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F, N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: TIP145
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 1N5953B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 150V 3W AXIAL, Zener Diode 150 V 3 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее