г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC039N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSC039N06NSATMA1.jpg
BSC039N06NSTR,BSC039N06NSCT-ND,BSC039N06NSDKR,BSC039N06NSATMA1DKR,BSC039N06NSATMA1CT,BSC039N06NSDKR-ND,BSC039N06NS-ND,BSC039N06NSATMA1TR,SP000985386,BSC039N06NSTR-ND,BSC039N06NS
MOSFET (Metal Oxide)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
N-Channel
60 V
19A (Ta), 100A (Tc)
3.9mOhm @ 50A, 10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
2000 pF @ 30 V
-
6V, 10V
BSC039
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-6
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CSD17579Q5AT
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON, N-Channel 30 V 25A (Ta) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее
Артикул: 30113-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: FQL40N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, N-Channel 500 V 40A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-264-3
Подробнее
Артикул: PDS1240CTL-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V POWERDI, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 6A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: 1297-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: 2N5308
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее