г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC190N15NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1, N-Channel 150 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
587 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSC190N15NS3GATMA1.jpg
BSC190N15NS3GATMA1TR,BSC190N15NS3G,BSC190N15NS3 GCT,BSC190N15NS3GATMA1DKR,BSC190N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,SP000416636,BSC190N15NS3 G-ND,BSC190N15NS3 GDKR,BSC190N15NS3 G,BSC190N15NS3GATMA1CT,BSC190N15NS3 GDKR-ND,BSC190N15NS3 GCT-ND,BSC190N15NS3 GTR,BSC190N15
MOSFET (Metal Oxide)
125W (Tc)
N-Channel
150 V
50A (Tc)
19mOhm @ 50A, 10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
2420 pF @ 75 V
-
8V, 10V
BSC190
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDMS7682
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN, N-Channel 30 V 16A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BAS40-04,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BAS40-04 - RECTIFIER DI, Diode
Подробнее
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 790 W Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: OF-CL-10-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5/8" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: MMBTA63
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 1.2A, 30V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1.2 A 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SW-516
Бренд: WEC
Описание: SW-516,
Подробнее