г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC265N10LSFGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON, N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSC265N10LSFGATMA1.jpg
SP000379618,BSC265N10LSFGATMA1TR,BSC265N10LSFGATMA1CT,BSC265N10LSFGATMA1DKR,BSC265N10LSF G-ND,BSC265N10LSF G
MOSFET (Metal Oxide)
78W (Tc)
N-Channel
100 V
6.5A (Ta), 40A (Tc)
26.5mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
1600 pF @ 50 V
-
4.5V, 10V
BSC265
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IT1000
Бренд: Belden
Описание: TOOL IT1000,
Подробнее
Артикул: 1N4001-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: IRFU5505
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAV99-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 75 V 300mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NTS4001NT1
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3, N-Channel 30 V 270mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: MBRF1045CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V - Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее