г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC265N10LSFGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON, N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSC265N10LSFGATMA1.jpg
SP000379618,BSC265N10LSFGATMA1TR,BSC265N10LSFGATMA1CT,BSC265N10LSFGATMA1DKR,BSC265N10LSF G-ND,BSC265N10LSF G
MOSFET (Metal Oxide)
78W (Tc)
N-Channel
100 V
6.5A (Ta), 40A (Tc)
26.5mOhm @ 20A, 10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
1600 pF @ 50 V
-
4.5V, 10V
BSC265
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SA1943OTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 17A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 17 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264-3
Подробнее
Артикул: HS-4-5
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX SPACER FOR #4 SCREW 5/8", Hex Unthreaded CPVC 0.625" (15.88mm) 5/8" Gray
Подробнее
Артикул: 1199-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: APT40GP90B2DQ2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 900V 101A 543W TMAX, IGBT PT 900 V 101 A 543 W Through Hole
Подробнее
Артикул: STPS2545CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 12.5A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SD1206T040S3R0
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 0805, Diode Schottky 40 V 3A (DC) Surface Mount 1206
Подробнее