г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSG0810NDIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/BSG0810NDIATMA1.jpg
BSG0810
BSG0810NDIATMA1-ND,448-BSG0810NDIATMA1TR,SP001241674,448-BSG0810NDIATMA1CT,448-BSG0810NDIATMA1DKR
2.5W
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
25V
19A, 39A
3mOhm @ 20A, 10V
2V @ 250µA
8.4nC @ 4.5V
1040pF @ 12V
Surface Mount
5,000
8541.29.0095
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 155°C (TJ)
8-PowerTDFN
PG-TISON-8
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
Logic Level Gate, 4.5V Drive

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FFH60UP60S
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: 2N3904BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 200MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: VS-20ETF12FP-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP, Diode Standard 1200 V 20A Through Hole TO-220-2 Full Pack
Подробнее
Артикул: STS12NF30L
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: PSS25SA2FT
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 6-PAC 25A 1200V DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 25 A 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm)
Подробнее
Артикул: FCHS20A08
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO-220 FU, Diode Schottky 80 V 20A Through Hole TO-220 Full-Mold
Подробнее