BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул

BSM100GB120DN2K

Бренд

Infineon Technologies

Описание

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT

Цена

15 098 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

Bulk

Active

0000.00.0000

2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MM3Z16VT1G

Бренд: onsemi

Описание: DIODE ZENER 16V 300MW SOD323, Zener Diode 16 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323

Артикул: 1575-A-4-AL

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN ALUMINUM1/, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.000" (25.40mm) 1" -

Артикул: 2N6288

Бренд: onsemi

Описание: TRANS NPN 30V 7A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 7 A 4MHz 40 W Through Hole TO-220

Артикул: MTZJ12C

Бренд: EIC SEMICONDUCTOR

Описание: ZENER 500MW, CASE TYPE: DO-34 GL, Zener Diode 12 V 500 mW ±2.5% Through Hole DO-34

Артикул: IRLS3034-7PPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Артикул: AH08AD-5C

Бренд: Delta Electronics

Описание: 8AI(CURRENT), Input Module Backplane 20.4 ~ 28.8VDC

Похожие товары