г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
BSM10GD120
10
0000.00.0000
REACH Unaffected
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Not For New Designs
Tray
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PWM-64
Бренд: Brady
Описание: VNYL PORTA-PK REFILL - LEGEND: 6,
Подробнее
Артикул: IRF9533
Бренд: Harris
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET, P-Channel 80 V 10A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRLR014N
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: 2N3467
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: STL8DN10LF3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 70W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Подробнее
Артикул: 1N4746A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 18 V 1W DO-41G, Zener Diode 18 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее