BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул

BSM10GD120DN2BOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module

Цена

12 649 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

BSM10GD120

0000.00.0000

REACH Unaffected

1 (Unlimited)

ROHS3 Compliant

Not For New Designs

Tray

BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: WLC100

Бренд: Apex

Описание: SOLDERING STATION 40W 1 CH 120V,

Подробнее

Артикул: STP5NK100Z

Бренд: STMicroelectronics

Описание: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB, N-Channel 1000 V 3.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

Подробнее

Артикул: 0130-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL7/16HD X, #8-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel

Подробнее

Артикул: MJ14002

Бренд: onsemi

Описание: TRANS PWR NPN 60A 80V TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 60 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Подробнее

Артикул: BSD223PH6327XTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6-1

Подробнее

Артикул: 1462-10-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 5, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.625" (15.88mm) 5/8" -

Подробнее

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята